Технические характеристики HS3J V6G
Технические спецификации TSC (Taiwan Semiconductor) - HS3J V6G, атрибуты, параметры и части с аналогичными спецификациями TSC (Taiwan Semiconductor) - HS3J V6G
| Свойства продукта | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| производитель | Taiwan Semiconductor | |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600V | |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) | |
| скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) | |
| Серии | - | |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 75ns | |
| Упаковка / | DO-214AB, SMC | |
| Другие названия | HS3J V6G-ND HS3JV6G |
|
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Свойства продукта | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Тип установки | Surface Mount | |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Стандартное время изготовления | 8 Weeks | |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
| Диод Тип | Standard | |
| Подробное описание | Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC) | |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 10µA @ 600V | |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A | |
| Емкостной @ В.Р., F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Три части справа имеют те же характеристики, что и TSC (Taiwan Semiconductor) HS3J V6G.
| Свойства продукта |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| Тип продуктов | HS3J V6G | HS3M R7 | HS3M R6 | HS353141M |
| производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | INC-TECH |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 10µA @ 600V | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V | - |
| Упаковка / | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | - |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) | - |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| Другие названия | HS3J V6G-ND HS3JV6G |
- | - | - |
| скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A | 3A | 3A | - |
| Емкостной @ В.Р., F | 50pF @ 4V, 1MHz | 50pF @ 4V, 1MHz | 50pF @ 4V, 1MHz | - |
| Серии | - | - | - | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 75ns | 75 ns | 75 ns | - |
| Диод Тип | Standard | - | - | - |
| Тип установки | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600V | 1000 V | 1000 V | - |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| Стандартное время изготовления | 8 Weeks | - | - | - |
| Подробное описание | Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC) | - | - | - |
Загрузите таблицы данных HS3J V6G PDF и документацию TSC (Taiwan Semiconductor) для HS3J V6G - TSC (Taiwan Semiconductor).
HS353141MINC-TECHHS353106LGHS3M R7Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 3A DO214ABHS3GB R5Taiwan SemiconductorHS353149HYNIXHS353135NZDINEYARDHS369DHSHS3KB R5Taiwan SemiconductorHS3DB R5Taiwan Semiconductor
HS353125BLUMILEDS
HS3MB-13-FDiodes IncorporatedHS3FB R5Taiwan Semiconductor
HS35D25TTElectro-Films (EFI) / VishayHS3700-HKHISENSEHS3J T/RTaiwan SemiconductorHS3M R6Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 3A DO214ABHS369EHSHS354134IVNET| Ссылка на логистическое время общих стран | ||
|---|---|---|
| Область | Страна | Логистическое время (день) |
| Америка | Соединенные Штаты | 5 |
| Бразилия | 7 | |
| Европа | Германия | 5 |
| Великобритания | 4 | |
| Италия | 5 | |
| Океания | Австралия | 6 |
| Новая Зеландия | 5 | |
| Азия | Индия | 4 |
| Япония | 4 | |
| Средний Восток | Израиль | 6 |
| Ссылка на отправку DHL & FedEx. | |
|---|---|
| Расходы на доставку (кг) | Справочный DHL (USD $) |
| 0,00 кг-1,00 кг | $ 30,00 долл. США - $ 60,00 долл. США |
| 1,00 кг-2,00 кг | 40,00 долл. США - $ 80,00 долл. США |
| 2,00 кг-3,00 кг | $ 50,00 долл. США - $ 100,00 долл. США |
Хотите лучшую цену? добавьте в CART и отправлять RFQ , мы немедленно свяжемся с вами.